Понедельник, 13.01.2025, 10:59
Приветствую Вас Гость | RSS
Меню сайта
Форма входа
Категории раздела
Теория сигналов [13]
Микроэлектроника [3]
Теоретические основы электротехники [8]
Микросхемотехника [5]
Микропроцессорная техника [10]
Автоматизированное конструирование [4]
Теория автоматического управления [1]
Материалы и элементы электротехники [8]
Вакуумно-плазменная электроника [2]
Преобразовательные устройства [1]
Электронные устройства и системы [1]
Поиск
Главная » Статьи » Электроника » Вакуумно-плазменная электроника

Исследование температурной зависимости токов перехода и определение барьерной емкости
Работу можно заказать по обратной связи:
Индекс: 0030
Название: Исследование температурной зависимости токов перехода и определение барьерной емкости
Предмет: Вакуумно-плазменная электроника
Цена:150

Л/р Ф-3. Изучение физических явлений, лежащих в основе принципа p-n перехода; экспериментальное исследование температурной зависимости диффузионных и дрейфовых токов, протекающих через p-n переход, а также зависимости барьерной емкости от напряжения.
Категория: Вакуумно-плазменная электроника | Добавил: ds3057 (12.02.2009)
Просмотров: 845 | Рейтинг: 5.0/1
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Наш опрос
Какое у вас образование?
Всего ответов: 53
Мини-чат
Друзья сайта
Статистика


Copyright MyCorp © 2025Сделать бесплатный сайт с uCoz